产品参数
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
型电晶体
P-Channel
包装
Digi-Reel®
vg (Max)
±20V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性
-
零件状态
Active
安装形式
Surface Mount
包装箱
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
基础零件号
STD10
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
操作温度
175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, vg
160mOhm @ 5A, 10V
最大功耗
35W (Tc)
供应商产品包装
DPAK
闸极电荷(Max) @ vg
6.4nC @ 10V
漏源电压(Vdss)
60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds
340pF @ 48V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
10A (Tc)
驱动电压(最大Rds On,最小Rds On)
10V