STD60N55F3

产品参数

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系列

STripFET™ III

型电晶体

N-Channel

包装

Digi-Reel®

vg (Max)

±20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Surface Mount

包装箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

基础零件号

STD60N

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

8.5mOhm @ 32A, 10V

最大功耗

110W (Tc)

供应商产品包装

DPAK

闸极电荷(Max) @ vg

45nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

55V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

80A (Tc)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

10V