产品参数
系列
STripFET™ II
型电晶体
N-Channel
包装
Digi-Reel®
vg (Max)
±20V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性
-
零件状态
Active
安装形式
Surface Mount
包装箱
TO-261-4, TO-261AA
基础零件号
STN3N
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, vg
100mOhm @ 1.5A, 10V
最大功耗
3.3W (Tc)
供应商产品包装
SOT-223
闸极电荷(Max) @ vg
13nC @ 10V
漏源电压(Vdss)
60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds
315pF @ 25V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
4A (Tc)
驱动电压(最大Rds On,最小Rds On)
10V