产品参数
系列
STripFET™
型电晶体
N-Channel
包装
Tube
vg (Max)
±20V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性
-
零件状态
Obsolete
安装形式
Through Hole
包装箱
TO-247-3
基础零件号
STW90N
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
操作温度
-50°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, vg
23mOhm @ 45A, 10V
最大功耗
300W (Tc)
供应商产品包装
TO-247-3
闸极电荷(Max) @ vg
164nC @ 10V
漏源电压(Vdss)
200V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds
5736pF @ 25V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
83A (Tc)
驱动电压(最大Rds On,最小Rds On)
10V