产品参数
系列 - 型电晶体 N-Channel 包装 Tube vg (Max) ±20V 技术 MOSFET (Metal Oxide) 场效应晶体管的特性 - 零件状态 Active 安装形式 Through Hole 包装箱 TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1.5mA 操作温度 150°C (TJ) Rds On (Max) @ Id, vg 4.7mOhm @ 55A, 10V 最大功耗 135W (Tc) 供应商产品包装 TO-220-3 闸极电荷(Max) @ vg 90.6nC @ 10V 漏源电压(Vdss) 60V 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 6210pF @ 25V 电流-连续漏(Id) @ 25°C 85A (Tc) 驱动电压(最大Rds On，最小Rds On) 4.5V, 10V 
