产品参数
系列
-
型电晶体
N-Channel
包装
Tube
vg (Max)
±20V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性
-
零件状态
Active
安装形式
Through Hole
包装箱
TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 650µA
操作温度
150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, vg
28.8mOhm @ 17.1A, 10V
最大功耗
90W (Tc)
供应商产品包装
TO-220
闸极电荷(Max) @ vg
36.5nC @ 10V
漏源电压(Vdss)
100V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds
2540pF @ 25V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
34A (Tc)
驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)
4.5V, 10V
