产品参数
系列
-
型电晶体
N-Channel
包装
Bulk
vg (Max)
±30V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性
-
零件状态
Active
安装形式
Through Hole
包装箱
TO-3P-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
操作温度
150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, vg
63mOhm @ 15A, 10V
最大功耗
85W (Tc)
供应商产品包装
TO-3P
漏源电压(Vdss)
330V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds
4600pF @ 25V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
30A (Ta)
驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)
10V
