CSD75208W1015T

产品参数

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系列

NexFET™

型电晶体

2 P-Channel (Dual) Common Source

包装

Cut Tape (CT)

场效应晶体管的特性

Logic Level Gate

零件状态

Active

整机最大功率

750mW

安装形式

Surface Mount

包装箱

6-UFBGA, DSBGA

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

68mOhm @ 1A, 4.5V

供应商产品包装

6-DSBGA

闸极电荷(Max) @ vg

2.5nC @ 4.5V

漏源电压(Vdss)

20V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 10V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

1.6A