TPS1100DR

产品参数

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系列

-

型电晶体

P-Channel

包装

Tape & Reel (TR)

vg (Max)

+2V, -15V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Surface Mount

包装箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

180mOhm @ 1.5A, 10V

最大功耗

791mW (Ta)

供应商产品包装

8-SOIC

闸极电荷(Max) @ vg

5.45nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

15V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

1.6A (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

2.7V, 10V