TC58NYG2S3EBAI5

产品参数

---

RoHS

Details

品牌

Toshiba Memory

速度

25 ns

产品

NAND Flash

包装

Tray

存储容量

4 Gbit

记忆类型

NAND

子类别

Memory & Data Storage

感应式正时灯

Synchronous

建筑

Block Erase

生产商

Toshiba

组织

512 M x 8

产品类型

NAND Flash

数据总线宽度

8 bit

接口类型

Parallel

安装类型

SMD/SMT

包装箱

TFBGA-63

产品类别

NAND Flash

敏感性

Yes

最大输入电流

30 mA

电源电压- Max

1.95 V

电源电压-最小

1.7 V

工厂包装数量

180

最大时钟频率

-

最高工作温度

+ 85 C

最低工作温度

- 40 C