2SK2009TE85LF

产品参数

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系列

-

型电晶体

N-Channel

包装

Cut Tape (CT)

vg (Max)

±20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Surface Mount

包装箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

操作温度

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

2Ohm @ 50MA, 2.5V

最大功耗

200mW (Ta)

供应商产品包装

SC-59-3

漏源电压(Vdss)

30V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 3V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

200mA (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

2.5V