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RN1130MFV,L3F
图片仅供参考。有关产品详细信息,请参阅产品规格
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RN1130MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM


生产商: Toshiba Semiconductor and Storage

数据表: RN1130MFV,L3F

价格:

USD $0.03

库存: 7 pcs

产品参数

系列
-
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Active
整机最大功率
150mW
安装形式
Surface Mount
包装箱
SOT-723
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
电阻-基极(R1)
100 kOhms
低频跃迁
250MHz
供应商产品包装
VESM
电阻-发射极基极(R2)
100 kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
集电极(Ic) (Max)
100mA
集电极截止电流(Max)
500nA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 5V
电压-集电极发射极击穿(Max)
50V

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