TK65E10N1,S1X

产品参数

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系列

U-MOSVIII-H

型电晶体

N-Channel

包装

Tube

vg (Max)

±20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Through Hole

包装箱

TO-220-3

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

4.8mOhm @ 32.5A, 10V

最大功耗

192W (Tc)

供应商产品包装

TO-220

闸极电荷(Max) @ vg

81nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

100V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

5400pF @ 50V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

148A (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

10V