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S1B-E3/51T
图片仅供参考。有关产品详细信息,请参阅产品规格
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S1B-E3/51T

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC


生产商: Vishay / Semiconductor - Diodes Division

数据表: S1B-E3/51T

价格:

USD $0.5

库存: 93 pcs

产品参数

速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
系列
-
包装
Bulk
温度测量
Standard
零件状态
Obsolete
安装形式
Surface Mount
包装箱
DO-214AC, SMA
基础零件号
S1B
电容@ Vr, F
-
供应商产品包装
DO-214AC (SMA)
反向恢复时间Trr
1.8µs
电流-反向泄漏@ Vr
1µA @ 100V
电压-直流反向(Vr) (Max)
100V
电流平均整流
1A
工作结温
-55°C ~ 150°C
电压-正向(Vf) (Max) @ If
1.1V @ 1A

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