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US1M-E3/5AT
图片仅供参考。有关产品详细信息,请参阅产品规格
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US1M-E3/5AT

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC


生产商: Vishay / Semiconductor - Diodes Division

数据表: US1M-E3/5AT

价格:

USD $0.35

库存: 4676 pcs

产品参数

速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
系列
-
包装
Digi-Reel®
温度测量
Standard
零件状态
Active
安装形式
Surface Mount
包装箱
DO-214AC, SMA
基础零件号
US1M
电容@ Vr, F
10pF @ 4V, 1MHz
供应商产品包装
DO-214AC (SMA)
反向恢复时间Trr
75ns
电流-反向泄漏@ Vr
10µA @ 1000V
电压-直流反向(Vr) (Max)
1000V
电流平均整流
1A
工作结温
-55°C ~ 150°C
电压-正向(Vf) (Max) @ If
1.7V @ 1A

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