SI2304BDS-T1-GE3

产品参数

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系列

TrenchFET®

型电晶体

N-Channel

包装

Digi-Reel®

vg (Max)

±20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Surface Mount

包装箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

70mOhm @ 2.5A, 10V

最大功耗

750mW (Ta)

供应商产品包装

SOT-23-3 (TO-236)

闸极电荷(Max) @ vg

4nC @ 5V

漏源电压(Vdss)

30V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 15V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

2.6A (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

4.5V, 10V