SI3529DV-T1-E3

产品参数

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系列

TrenchFET®

型电晶体

N and P-Channel

包装

Tape & Reel (TR)

场效应晶体管的特性

Logic Level Gate

零件状态

Obsolete

整机最大功率

1.4W

安装形式

Surface Mount

包装箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

125mOhm @ 2.2A, 10V

供应商产品包装

6-TSOP

闸极电荷(Max) @ vg

7nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

40V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

205pF @ 20V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

2.5A, 1.95A