SI3900DV-T1-E3

产品参数

---

系列

TrenchFET®

型电晶体

2 N-Channel (Dual)

包装

Digi-Reel®

场效应晶体管的特性

Logic Level Gate

零件状态

Active

整机最大功率

830mW

安装形式

Surface Mount

包装箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

基础零件号

SI3900

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

125mOhm @ 2.4A, 4.5V

供应商产品包装

6-TSOP

闸极电荷(Max) @ vg

4nC @ 4.5V

漏源电压(Vdss)

20V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

-

电流-连续漏(Id) @ 25°C

2A