SI4100DY-T1-GE3

产品参数

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系列

TrenchFET®

型电晶体

N-Channel

包装

Digi-Reel®

vg (Max)

±20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Surface Mount

包装箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

63mOhm @ 4.4A, 10V

最大功耗

2.5W (Ta), 6W (Tc)

供应商产品包装

8-SO

闸极电荷(Max) @ vg

20nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

100V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 50V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

6.8A (Tc)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

6V, 10V