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SI4800BDY-T1-E3
图片仅供参考。有关产品详细信息,请参阅产品规格
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SI4800BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC


生产商: Vishay / Siliconix

数据表: SI4800BDY-T1-E3

价格:

USD $0.09

库存: 1877 pcs

产品参数

系列
TrenchFET®
型电晶体
N-Channel
包装
Digi-Reel®
vg (Max)
±25V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性
-
零件状态
Active
安装形式
Surface Mount
包装箱
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, vg
18.5mOhm @ 9A, 10V
最大功耗
1.3W (Ta)
供应商产品包装
8-SO
闸极电荷(Max) @ vg
13nC @ 5V
漏源电压(Vdss)
30V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
驱动电压(最大Rds On,最小Rds On)
4.5V, 10V

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