SI4966DY-T1-GE3

产品参数

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系列

TrenchFET®

型电晶体

2 N-Channel (Dual)

包装

Tape & Reel (TR)

场效应晶体管的特性

Logic Level Gate

零件状态

Obsolete

整机最大功率

2W

安装形式

Surface Mount

包装箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

基础零件号

SI4966

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

25mOhm @ 7.1A, 4.5V

供应商产品包装

8-SO

闸极电荷(Max) @ vg

50nC @ 4.5V

漏源电压(Vdss)

20V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

-

电流-连续漏(Id) @ 25°C

-