SI7804DN-T1-E3

产品参数

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系列

TrenchFET®

型电晶体

N-Channel

包装

Digi-Reel®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Surface Mount

包装箱

PowerPAK® 1212-8

Vgs(th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

18.5mOhm @ 10A, 10V

最大功耗

1.5W (Ta)

供应商产品包装

PowerPAK® 1212-8

闸极电荷(Max) @ vg

13nC @ 5V

漏源电压(Vdss)

30V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

6.5A (Ta)