SI7900AEDN-T1-E3

产品参数

---

系列

TrenchFET®

型电晶体

2 N-Channel (Dual) Common Drain

包装

Cut Tape (CT)

场效应晶体管的特性

Logic Level Gate

零件状态

Active

整机最大功率

1.5W

安装形式

Surface Mount

包装箱

PowerPAK® 1212-8 Dual

基础零件号

SI7900

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

26mOhm @ 8.5A, 4.5V

供应商产品包装

PowerPAK® 1212-8 Dual

闸极电荷(Max) @ vg

16nC @ 4.5V

漏源电压(Vdss)

20V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

-

电流-连续漏(Id) @ 25°C

6A