SI8900EDB-T2-E1

产品参数

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系列

TrenchFET®

型电晶体

2 N-Channel (Dual) Common Drain

包装

Tape & Reel (TR)

场效应晶体管的特性

Logic Level Gate

零件状态

Active

整机最大功率

1W

安装形式

Surface Mount

包装箱

10-UFBGA, CSPBGA

基础零件号

SI8900

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1.1mA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

-

供应商产品包装

10-Micro Foot™ CSP (2x5)

闸极电荷(Max) @ vg

-

漏源电压(Vdss)

20V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

-

电流-连续漏(Id) @ 25°C

5.4A