SIR798DP-T1-GE3

产品参数

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系列

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型电晶体

N-Channel

包装

Digi-Reel®

vg (Max)

±20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

Schottky Diode (Body)

零件状态

Obsolete

安装形式

Surface Mount

包装箱

PowerPAK® SO-8

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

2.05Ohm @ 20A, 10V

最大功耗

83W (Tc)

供应商产品包装

PowerPAK® SO-8

闸极电荷(Max) @ vg

130nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

30V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

5050pF @ 15V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

60A (Tc)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

4.5V, 10V