SIZ900DT-T1-GE3

产品参数

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系列

TrenchFET®

型电晶体

2 N-Channel (Half Bridge)

包装

Digi-Reel®

场效应晶体管的特性

Logic Level Gate

零件状态

Obsolete

整机最大功率

48W, 100W

安装形式

Surface Mount

包装箱

6-PowerPair™

基础零件号

SIZ900

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

7.2mOhm @ 19.4A, 10V

供应商产品包装

6-PowerPair™

闸极电荷(Max) @ vg

45nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

30V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

1830pF @ 15V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

24A, 28A