产品参数
系列
HEXFET®
型电晶体
N-Channel
包装
Tube
vg (Max)
±12V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性
-
零件状态
Obsolete
安装形式
Surface Mount
包装箱
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250µA
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, vg
8mOhm @ 15A, 4.5V
最大功耗
2.5W (Ta)
供应商产品包装
8-SO
闸极电荷(Max) @ vg
40nC @ 4.5V
漏源电压(Vdss)
12V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds
2550pF @ 6V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
15A (Ta)
驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)
2.8V, 4.5V
