产品参数
系列
-
型电晶体
N-Channel
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性
-
零件状态
Obsolete
安装形式
Surface Mount
包装箱
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, vg
13.4mOhm @ 10A, 10V
最大功耗
2W
供应商产品包装
-
闸极电荷(Max) @ vg
11nC @ 4.5V
漏源电压(Vdss)
20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 10V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
10A (Ta), 12A (Tc)
驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)
10V
