2SK2221-E

产品参数

---

系列

-

型电晶体

N-Channel

包装

Tube

vg (Max)

±20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Through Hole

包装箱

TO-3P-3, SC-65-3

Vgs(th) (Max) @ Id

-

操作温度

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

-

最大功耗

100W (Tc)

供应商产品包装

TO-3P

漏源电压(Vdss)

200V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

8A (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

-