HAT2131R-EL-E

产品参数

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系列

-

型电晶体

N-Channel

包装

Tape & Reel (TR)

vg (Max)

±20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Surface Mount

包装箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (Max) @ Id

-

操作温度

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

3Ohm @ 450mA, 10V

最大功耗

2.5W (Ta)

供应商产品包装

8-SOP

闸极电荷(Max) @ vg

20nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

350V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 25V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

900mA (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

4V, 10V