STR2N2VH5

产品参数

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系列

STripFET™ V

型电晶体

N-Channel

包装

Digi-Reel®

vg (Max)

±8V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Surface Mount

包装箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

基础零件号

STR2

Vgs(th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

30mOhm @ 2A, 4.5V

最大功耗

350mW (Tc)

供应商产品包装

SOT-23

闸极电荷(Max) @ vg

4.6nC @ 4.5V

漏源电压(Vdss)

20V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

367pF @ 16V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

-

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

2.5V, 4.5V