STR2P3LLH6

产品参数

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系列

STripFET™ H6

型电晶体

P-Channel

包装

Digi-Reel®

vg (Max)

±20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Surface Mount

包装箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

基础零件号

STR2

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

操作温度

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

56mOhm @ 1A, 10V

最大功耗

350mW (Tc)

供应商产品包装

SOT-23

闸极电荷(Max) @ vg

6nC @ 4.5V

漏源电压(Vdss)

30V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

639pF @ 25V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

2A (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

4.5V, 10V