HS1J M2G — 图片仅供参考。有关产品详细信息，请参阅产品规格

HS1J M2G

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

生产商: Taiwan Semiconductor Corporation

数据表: HS1J M2G

价格:

USD $0.06

库存: 46 pcs

产品参数

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

系列

-

包装

Tape & Reel (TR)

温度测量

Standard

零件状态

Active

安装形式

Surface Mount

包装箱

DO-214AC, SMA

电容@ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

供应商产品包装

DO-214AC (SMA)

反向恢复时间Trr

75ns

电流-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

电压-直流反向(Vr) (Max)

600V

电流平均整流

1A

工作结温

-55°C ~ 150°C

电压-正向(Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

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