Menu Navigation

HS1J R3G
图片仅供参考。有关产品详细信息,请参阅产品规格
thumb-0

HS1J R3G

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC


生产商: Taiwan Semiconductor Corporation

数据表: HS1J R3G

价格:

USD $0.49

库存: 3600 pcs

产品参数

速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
系列
-
包装
Cut Tape (CT)
温度测量
Standard
零件状态
Active
安装形式
Surface Mount
包装箱
DO-214AC, SMA
电容@ Vr, F
20pF @ 4V, 1MHz
供应商产品包装
DO-214AC (SMA)
反向恢复时间Trr
75ns
电流-反向泄漏@ Vr
5µA @ 600V
电压-直流反向(Vr) (Max)
600V
电流平均整流
1A
工作结温
-55°C ~ 150°C
电压-正向(Vf) (Max) @ If
1.7V @ 1A

你可能感兴趣