SI3585DV-T1-GE3

产品参数

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系列

TrenchFET®

型电晶体

N and P-Channel

包装

Tape & Reel (TR)

场效应晶体管的特性

Logic Level Gate

零件状态

Obsolete

整机最大功率

830mW

安装形式

Surface Mount

包装箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

基础零件号

SI3585

Vgs(th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA (Min)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

125mOhm @ 2.4A, 4.5V

供应商产品包装

6-TSOP

闸极电荷(Max) @ vg

3.2nC @ 4.5V

漏源电压(Vdss)

20V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

-

电流-连续漏(Id) @ 25°C

2A, 1.5A